- AMD Patent DDR 5 Data Bandwith ha publicado un nuevo diseño de RAM para duplicar
- El HB-DIMM propuesto usa el canal SEODO y los chips de amortiguación para aumentar el enfoque Thruput
- Las iniciativas de memoria pasadas de AMD lucharon al plantear preguntas sobre el camino comercial de la nueva patente
Según la patente recientemente publicada, AMD claramente ha creado una forma de impulsar el rendimiento de la memoria más allá del límite actual de DDR5.
Por Tech 4 Gamers, Las preocupaciones de presentación, “una arquitectura del módulo de memoria de alto ancho de banda” que probablemente puede duplicar la velocidad de datos sin cambiar los chips DRAM subyacentes.
El diseño propuesto obtuvo hasta 12.8 Gbps en el bus de memoria comparando el nativo de GBPS DDR5.
La primera memoria de AMD no es Rhodio
Lo hace mediante el uso de módulos de memoria de doble línea de alto ancho o HB-DIMM que combina múltiples chips DRAM con chips búfer.
Estos búfer opera la transmisión de datos generales de datos generales, escalando efectivamente el ancho de banda con la tecnología actual en lugar de la necesidad de un nuevo estándar.
El uso de pseudo canales y el enrutamiento de señal inteligente también se cubre en patentes para mejorar los throps.
Un controlador de reloj de registro decide los comandos de memoria del circuito y usa un bit de identificador de chip para señales directamente directamente a los canales direccionables.
Ayudará a mantener el acceso paralelo y los modos de marcado flexibles para mantener la consistencia DDR5.
La transferencia de datos utilizará un formato no intermedio para aliviar la integridad de la señal y reducir el retraso.
La AMD en el archivo DDR5 es lógico de que el procesador de gráficos y el ancho de banda del servidor lucharon para mantener las demandas del ancho de banda, es necesario actualizar la arquitectura del módulo.
Para permitir configuraciones entre los modos de canal sudo y cuádruple, se creará el diseño para la computación de alto rendimiento, las cargas de trabajo de IA y los sistemas de juegos, lo que requiere una memoria más rápida.
Este desarrollo se produce cuando los concursantes siguen sus propias soluciones. Después del problema técnico, se dejó el proyecto Socam 1 anterior de NVDIA, la compañía ahora trabaja en Sookam 2, individualmente, Samsung, SK Henix y Micron.
Aunque estos esfuerzos se centran en el diseño modular y las velocidades de datos extremas para los centros de datos, la propuesta AMD se encuentra como una mejora adaptativa para los sistemas DDR5 existentes.
Esto es por primera vez que AMD debe haber ingresado al patio de memoria. En 2002, la asociación de la compañía con Patriot Memory y VisionTech para vender el kit DDR 3 de marca, aunque la iniciativa no fue un gran éxito.
La nueva patente aún muestra si se verá algún producto comercial, pero este es otro ejemplo de creciente presión sobre la industria para encontrar formas de salir de la hoja de ruta actual de DDR5.
